普興公司宣布成功研發(fā)出6英寸碳化硅（SiC）外延高速率生長工藝，標(biāo)志著在第三代半導(dǎo)體電子專用材料領(lǐng)域邁出了關(guān)鍵一步。該工藝通過優(yōu)化氣相外延生長參數(shù)，實現(xiàn)了外延層的高速沉積，顯著提升了生產(chǎn)效率和材料質(zhì)量。關(guān)鍵技術(shù)突破包括：一是采用新型前驅(qū)體輸送系統(tǒng)，提高了氣體流量穩(wěn)定性；二是疊加原位監(jiān)控技術(shù)，精確控制溫度和退火條件，消除應(yīng)力和缺陷。專家指出，6英寸大面積晶圓的外延工藝往往要求精準(zhǔn)平衡速率與晶體完善度，普興在這一核心難題上的進(jìn)展，加速了大尺寸耐高溫電子器件的大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。據(jù)技術(shù)人員介紹，新工藝基礎(chǔ)上生長的外延薄膜已通過6英寸產(chǎn)品試制復(fù)核，正賽階段復(fù)合缺陷和環(huán)境雜質(zhì)密度相對4英寸基準(zhǔn)均有明顯下降。這既有助低成本推廣碳化硅器件，支撐高效功率電子車輛、輸變電、外通信和光伏行業(yè)等領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)進(jìn)程的工程難度。